技术编号：16515162
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种MEMS(微机电系统)传感器经常用到的MEMS电极形成方法。背景技术非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种MEMS电极微桥形成方法，能够完整的形成MEMS电极微桥结构。为解决上述技术问题，本发明的MEMS电极微桥...
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