技术编号：16519067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种射频放大器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性设计领域。背景技术横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS，Lateral Double Diffused MOSFET)是一种市场需求大，发展前景广阔的射频功率放大器件。在射频无线通信领域，基站和长距离发射机几乎全部使用硅基横向双扩散金属氧化物半导体场效应高功率晶体管；此外，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管还广泛应用于射频放大器，如高频HF、甚高频VHF和特高频UHF通信领域、脉冲雷达、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。