技术编号：16526043
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件结构及其形成方法。背景技术目前在集成电路制作过程中，一个完整的芯片通常都需要经过数十次以上的光刻，通常除了第一次光刻以外，其余层的光刻均是与前面的层所留下的图形进行对准。由于半导体器件结构制程复杂，光刻工艺的次数较多，以致于很多层在曝光时对位标记变得不清晰而难以识别，通常利用EGA(增强全局对位)对对位标记进行识别，并且要求对位标记具有较好的信号对比度。对于不同工艺节点下的集成电路工艺，上述对位标记的信号对比度也会有所差别。以90纳米嵌入式闪存工艺为例...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。