技术编号:16527561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种紫外LED技术,尤其涉及一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法。背景技术以GaN为代表的III族氮化物由于其优异的材料性质,在最近的几十年间在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、光探测器等光电器件中得到了普遍的应用,产业化趋于成熟,是目前最受关注的第三代半导体材料体系。目前的GaN基光电器件尤其是GaN LED实现产业化发光波段仍然主要集中在可见光波段,这严重限制了GaN LED的发展应用。紫外波段是GaN LED发展过程中一个至关重要的一环,紫外GaN LED可...
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