技术编号:16527638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造装置及工艺,尤其涉及一种制备用于生长氮化铝单晶所用的碳化钽坩埚的装置及制备新方法。背景技术第三代半导体材料的禁带宽度一般大于3.0电子伏,因此又被称为宽禁带半导体,氮化铝材料就属于其中,它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优异性能,在高温、高频、高功率及抗辐射器件方面拥有巨大的应用前景,对于氮化铝单晶材料的研究和开发已经成为了半导体领域的一个热点。目前,主要采用物理气相输运(PVT)的办法来制备氮化铝单晶,物理气相输运方法指的是利用保温系统在各处厚度的不...
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