技术编号：16532869
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备高导热低介电损耗复合粘接膜的方法，属于功能复合材料技术领域。背景技术随着超大规模集成电路器件集成度的提高，元器件极小尺寸向深亚微米发展,甚至将达到纳米水平。当器件特征尺度逐渐减小时，由于多层布线和逻辑互连层数增加达8-9层，导线间电容和层间电容以及导线电阻增加，从而使得导线电阻R和电容C产生的RC延迟会有所上升，这就限制了器件的高速运行性能，而且增加能耗。为了降低RC延时及功率损耗，除了采用低电阻率金属如铜替代铝外，重要的是降低介质层带来的寄生电容C。由于电容C正比于介电常数k...
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