技术编号：16535855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子技术领域，具体涉及一种带有磁应变源、响应范围可调的GeSn红外探测器及其制备方法。背景技术随着硅微电子工艺的发展及光互连集成电路需求的膨胀，硅基光子器件的研究已经成为近些年研究的重点和热点。受硅微电子兼容性、材料对光的响应范围及环境友好度的限制，高量子效率、宽响应范围的光电材料成为限制红外尤其是中红外硅基光电子迅速发展的主要因素。近十几年，具有优良电学特性和赝直接带隙的IV族锗(Ge)半导体，由于其光响应波长达到1.55μm接近重要的通讯窗口L(1565-1625nm)波段...
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