技术编号:16550844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及存储技术领域,特别是一种将数据写入固态硬盘的方法以及固态硬盘。背景技术闪存颗粒的寿命是通过编程/擦写次数来衡量的,并且和闪存颗粒的数据存储模式直接相关。在单层式存储中,每个单元只能处于两种状态中的一种,即每个单元存储一个比特,单层单元(Single-level cell,SLC)类型的单元的擦写次数可达到10万次。而多层单元(Multi-level cell,MLC)的擦写次数可达12000次,TLC可达8000次。通常情况下,固态硬盘采用同一种数据存储模式,例如MLC或者三层单...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。