技术编号：16563084
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及等离子体化学气相沉积技术领域，特别是涉及一种高通量PECVD装置。背景技术目前的等离子体化学气相沉积技术(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)一般一次只能制备一种条件的样品，再加上每次样品安装以及真空获得所需要花费的时间，使得传统PECVD技术在多种组合条件的材料工艺的开发方面非常的耗时。为了能够实现新材料的快速制备和工艺筛选，有必要开发一种新的PECVD制备装置和方法，该装置可以在不更换样品的条件下，在一个样品上实现多种...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。