技术编号:16568472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种半导体器件。背景技术作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)具有许多优良的特性,高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)等已经得到了应用,尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。为了提高氮化镓HEMT器件的二维电子气的浓度从而获得更大的器件功率,常规的方法是采用具有高Al组份的AlGaN/GaN基的HEMT...
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