技术编号:16568498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种大功率肖特基二极管的结构。背景技术大功率肖特基二极管(SBD)是贵金属A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件,大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位,除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的大功率肖特基二极管电气参数还包括中频阻抗和噪声系数等。现有的二极管这类元器件主要向小体积和轻重量的方向发展,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。