技术编号:16579794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种气敏材料技术领域,尤其是一种快速生长SnO2纳米片的方法。背景技术随着气敏传感器的快速发展,气敏材料也得到了快速的发展,目前,气敏传感器主要是基于半导体金属氧化物如ZnO、SnO2、WO3,这些金属氧化物由于有性能优异、环境友善、资源丰富、价格低廉等优点,是研究较为广泛的气敏材料。通过金属氧化物表面修饰、金属/贵金属掺杂等工艺可提升材料的气敏性能,在气敏传感器领域有非常广泛的应用。决定半导体气敏材料灵敏度的关键因素包括:比表面积,通过化学法构建纳米材料,使材料具有较大的比表面积可以...
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