技术编号：16581867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及光通信技术领域，尤其涉及一种测量硅光相干接收机光电响应度的装置和方法。背景技术硅光相干接收机是基于硅和硅基衬底材料(如SiGe/Si、SOI等)，采用现有CMOS工艺将信号光功率监控二极管、光电二极管、信号光可调衰减器、偏振分束器、90°相干光混频器等部分单片集成于相干接收机的硅光芯片内，此工艺结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势。但是，硅光相干接收机也存在如下缺点：损耗比传统工艺的器件偏大，器件光电指标随波长变化即WDL偏大。而硅光...
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