技术编号:16584470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种六氟丁二烯的纯化方法及纯化装置,属于精细化工领域。背景技术六氟丁二烯电子气体主要用于半导体产品的等离子介质蚀刻加工技术,超大规模集成电路的干蚀刻。六氟丁二烯具有较低的氟碳比,在蚀刻室的等离子区分解成多种活性游离基,并以蚀刻活性较低的CF·为主,使得蚀刻过程中,一方面材料侧壁表面快速沉积一层厚度较薄、密度较低的氟碳聚合物保护膜,另一方面又具有适中的蚀刻强度,能实现近乎垂直的蚀刻加工。和四氟化碳、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟环丁烷相比,六氟丁二烯在等离子介质蚀刻中表现出高选择性和高深宽比。...
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