技术编号:16588187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体的说是一种功率器件终端结构及其制作方法。背景技术功率半导体器件,为了得到一定的电流能力,往往是由若干元胞并联而成。由于元胞与元胞之间相互之间形成耗尽,因而不容易发生击穿。但是边缘元胞(又称过渡区或主结)由于耗尽层边缘的曲率半径小,造成电场线密集,它的电场强度远高于体内,因而击穿电压会远低于体内,击穿首先会发生在边缘元胞的表面。因此要采取特殊结构保护边缘元胞不提前击穿,以提高器件击穿电压,这些特殊结构就被称为终端结构。终端结构的作用就是减小边缘元胞承受的电场强度,从而...
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