技术编号:16588990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法。背景技术发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源,LED正在被迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等领域。氮化镓(GaN)具有良好的热导性能,同时具有耐高温、耐酸碱、高硬度等优良特性,使氮化镓(GaN)基LED受到越来越多的关注和研究。现有的氮化镓基LED外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体...
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