技术编号:16594816
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板的制造方法,更特定的来说,涉及翘曲较少的基板的制造方法。背景技术SiC与Si(硅)相比耐热性和耐电压性优异,作为电子器件使用时的电力损耗较小。因此,SiC作为下一代的半导体材料在例如,高性能-省电的变换器、家庭电气化制品用电源模块、或电动汽车用电源半导体元件等的使用不断发展。另外,由于SiC与Si相比具有高的杨氏模量、高温下的高屈服强度、以及高的化学稳定性,因此正在研究将SiC作为MEMS(MicroElectro Mechanical Systems)使用。此外,由于SiC具有高...
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