技术编号：16595019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体制备技术领域，具体而言，涉及一种籽晶托及其制备方法。背景技术气相晶体生长法是一种常用的晶体生长法，在ZnO、ZnSe、CdS等多种II-VI族化合物半导体单晶的生长中有重要应用。该方法通过加热使生长原料气化，利用温度场和气流将气相组分输运到坩埚低温端进行晶体生长。利用这种方法生长出的单晶体成分均一性、纯度和结晶质量较好，适合制作高品质的光电子器件。在气相晶体生长法中，往往在晶体生长区加入籽晶以提高单晶生长的成晶率。即在坩埚中晶体生长区域预先放置具有一定形状的单晶体做为籽晶，使源区物...
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