技术编号:16595023
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体生长技术领域,尤其涉及一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法。背景技术AlN单晶因其晶格常数和热膨胀系数与高Al组分AlGaN非常接近,能够显著提高外延层晶格质量,减少缺陷密度,从而提高器件的内量子效率,目前已经成为外延生长AlGaN制作深紫外器件的最佳衬底,包括深紫外LED和深紫外探测器。同时,AlN单晶具有很多优点,包括高击穿场强、高热导率、高硬度、电学性能优异等,这使得其在高温高频功率电子器件中也能扮演重要的角色。要得到高质量的AlN单晶,目前国际上成功实现大尺寸AlN单晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。