技术编号：16622738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及切割台，特别涉及一种多线切割机台机构，属于切割台技术领域。背景技术单晶碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有优越的性能,近年来迅速渗透到照明，电力器件，微波射频等，，在制造耐高温和抗辐射的高频大功率器件方面具有广阔的应用前景，已成为国际关注的焦点，在下一代功率器件的制造和外延生长中，对单晶材料最终的表面质量有严格的要求，然而，由于,SiC晶体的硬度高(莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石)，化学稳定性非常好(常温下几乎不与其他物质发生明显的化学反应)，因此SiC衬底很难加工得到，其中又以...
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