技术编号：16626542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学气相生长装置，具体地，涉及具有多个子反应室的化学气相生长装置，每个子反应室具有一个控温上部加热元件和与其他子反应室共用的控温下部加热元件，其中，每个控温上部加热元件包括多个控温的恒温上部加热单元。控温下部加热元件用于提供用于膜生长的衬底温度，并且每个子反应室中的控温上部加热元件与控温下部加热元件一起在每个独立子反应室中形成3D(径向和横向)温度分布。背景技术化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)装置通常用于制造不同类型的材料，例如绝缘体、导体和半...
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