技术编号：16637443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及蚀刻方法。背景技术在电子器件的制造中，有时进行在由氧化硅(SiO2)形成的区域形成孔或槽等的开口的处理。在这样的处理中，如专利文献1记载的方式，一般而言，通过将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中，来蚀刻该区域。另外，已知一种相对于由氮化硅形成的第2区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域的技术。作为这样的技术的一个例子，已知有SAC(Self-Aligned Contact，自对准接触)技术。SAC技术记载于专利文献2中。作为SAC技术的处理对象的被处理体，包括氧化硅制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。