技术编号：16637448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。背景技术为了构成半导体装置(半导体器件)，需要层叠多种材料。例如，在半导体基板上形成氧化膜等绝缘膜，在该绝缘膜上层叠Cu(铜)膜等电极。当绝缘膜和电极的温度上升时，由于绝缘膜与电极的线膨胀系数的差而在绝缘膜与电极的界面产生应力。由于该应力而绝缘膜被施加负荷。由此有可能绝缘膜被破坏。另外，如果电极的膜厚变厚，则在绝缘膜与电极的界面产生的应力增大。因此，在电极的膜厚变厚的情况下，由于该应力而绝缘膜被破坏的可能性变高。例如，在日本特开2015-1857...
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