技术编号:16638511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例关于肖特基位障半导体装置与其形成工艺。背景技术尽管锗在互补式金属氧化物半导体晶体管或存储存储器中具有高潜力,但非欧姆或高电阻率的接点(如电阻率高于10-4Ω·cm)为其应用阻碍。互补式金属氧化物半导体应用上的锗与锗选择二极管可用于存储存储器,需要低接点电阻率。对光学与电子装置而言,沉积金属于半导体材料上以作为电性接点。在金属与半导体的接面处,将形成电位障碍如所知的肖特基位障(Schottky barrier height,SBH)。肖特基位障即平均电子反向浮动穿过位障所需的能量,很大...
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