技术编号:16638787
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,具体涉及一种晶圆结构及其处理方法。背景技术功率半导体器件包括垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)、快速恢复二极管(FRD)、肖特基二极管、瞬态电压抑制器(TVS)等。为了降低成本,在保证电流驱动能力和击穿电压足够的情况下,希望器件尺寸尽量小。功率半导体器件由晶圆制作而来,晶圆版图中包括芯片区和划片道区两种区域,芯片区就是功率半导体器件占用的区域,划片道区是在功率半导体器件加工完成后,用来将晶圆切割成一个一个的功率半导体器件的的区域。划片时,在对划片道区进行切割的过程...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。