技术编号:16638997
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括说明书、附图和摘要的、于2017年6月29日提交的日本专利申请号2017-126865的公开内容以整体内容通过引用并入本文。技术领域本发明涉及半导体器件,并且更具体地,涉及对于具有多沟道光电耦合器的半导体器件有用的技术。背景技术日本未经审查的专利申请公开号2008-235599公开了多沟道光电耦合器的结构和用于操纵其的方法。多沟道光电耦合器包括两个光发射元件14和两个光接收区11,其中,一个光发射元件14通过透明的第一树脂13光学地耦合到一个光接收元件11。换句话说,透明的第一树脂13被提供...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。