技术编号：16645335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种曝光显影装置及方法。背景技术现代光刻设备以光学光刻为基础，它利用光学系统把掩模版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的衬底(如：硅片、蓝宝石)上。PSS(patterned sapphire substrate，蓝宝石图形化衬底)已成为LED芯片提升光效的基本途径之一，目前主流PSS衬底的图形宽度为2微米，间隔1微米，刻蚀深度1.5-1.8微米。图形化衬底基本制备工序为：基片平整度检测、清洗基片、涂胶、掩模步进曝光、ICP(Inductively Coupled...
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