技术编号：16646498
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路测试领域，尤其涉及基于电荷的电容测量装置。背景技术在CMOS集成电路中，信号传播延时以及上升下降时间与传播路径中元件以及绕线的RC 参数密切相关。随着集成电路制造技术的快速发展，单位面积上的晶体管数量呈指数式增长。单个晶体管的尺寸逐渐变小，其导通电阻及栅电容也随之变小；晶体管间的金属互连线则越来越复杂，线间距和最小线宽也在逐渐变小，相对晶体管延时而言，因互连线的寄生电阻电容产生的延时变得越来越显著，对于金属互连线产生的寄生参数的测量与评估正逐渐引起设计人员的重视。由金属互连...
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