技术编号:16649642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子器件制造的半导体封装技术领域,涉及一种晶圆减薄的方法,具体涉及一种新型晶圆减薄方法。背景技术从集成电路断面结构来看,大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。集成电路制造工艺对晶圆的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出了很高要求。因此在几百道工艺流程中,不可采用较薄的晶圆片,只能采用一定厚度的晶圆片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前,需要从晶圆片背面去除一定厚度的基体材料。这一工艺过程称为晶圆片背面减薄工艺,对应装备就是晶圆片减薄机。通过减薄/研磨的方...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。