技术编号：16661590
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种管式PECVD氮化硅渐变膜工艺。背景技术在光伏领域，当太阳光照射到太阳能电池表面时会有部分光被反射，造成较大光损失，所以需要在电池片表面沉积一层或多层膜来达到减反射的目的，通常使用PECVD沉积氮化硅薄膜，它含有SI、N、H三种元素，既可以起到减反的作用，也可以达到表面钝化的作用。目前主流的管式PECVD用来沉积氮化硅多层膜，通过改变硅烷氨气比来沉积不同膜层特性的氮化硅膜层，通过时间控制不同膜层的厚度，一般控制底层为折射率n1较高达到更好的钝化目的，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。