技术编号:16662268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体涉及一种半导体装置。背景技术在半导体装置中,多晶硅被用作电阻器或布线。通过将氮化硅布置在多晶硅电阻器上方来提高电阻器值的稳定性的技术在日本专利申请公开No.2008-227061和日本专利申请公开No.2006-222410中介绍。在日本专利申请公开No.2006-222410介绍的技术中,两个氮化物膜(即第一氮化物膜29和第三氮化物膜43)布置在包括多晶硅图形的电阻器元件21上方。而且,在日本专利申请公开No.2006-222410介绍的技术中,用于电连接的触点孔形成在层间绝缘膜27...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。