技术编号：16662748
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于金刚石/SiC异质结构 的光电NPN晶体管及其制备方法。背景技术20世纪50年代起PN结晶体管的发明奠定了电子技术和集成电路的基 础，PN结是采用不同的掺杂工艺将P型和N型半导体制作在同一块半导 体基片上所形成的空间电荷区，又称为同质结；随后发展的异质结是把两种 不同的材料做成一个单晶的技术，两种材料不同的禁带宽度及其他独有特 性的使异质结具有一系列同质结所没有的特性，在器件设计上实现独有的 功能，尤其在光电领域应用广泛，例如光电PNP晶体管用两个异质结...
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