技术编号：16678417
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法。背景技术量子点由于其发射峰位置可调、荧光量子效率高、光谱纯等优秀的光学特性，在显示、照明、生命科学和荧光标记等领域中表现出良好的应用前景，成为最具发展潜力的纳米材料之一。在量子点如InP、CdSe的表面生长ZnS壳层，可以优化量子点的光学性能及光学稳定性，但是，现有技术在量子点表面包覆ZnS壳层时，一般都采用高温。发明内容针对上述技术问题，本申请提供一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法，包括以下步骤：S1、获得...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。