技术编号:16691991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种高阶温度补偿的带隙基准电路。背景技术带隙基准电路是集成电路系统的重要模块,带隙基准电路主要为集成电路系统提供精确的参考电压,因而其性能特性直接影响集成电路系统整体性能,这就要求提高带隙基准电路的性能特性。图1为一种传统的CMOS带隙基准电路结构,其基本思路是利用PNP型三极管Q2的发射极-基极电压具有负温度特性以及PNP型三极管Q2与PNP型三极管Q1的发射极-基极之差具有正温度特性来获得低温漂的参考电压。图1中,电阻R1、电阻R2以及电阻R3采用相同材料,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。