技术编号:16692193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械抛光领域,尤其涉及一种化学机械抛光液。背景技术氧化铈是一种重要的CMP抛光液磨料,相比于传统硅溶胶磨料,氧化铈对二氧化硅材质具有更高效的抛光特性,已广泛应用于STI和ILD的CMP抛光。但是,在STI的CMP抛光应用中,通常要求具备高的二氧化硅介质层的抛光速率,而低的氮化硅介质层的抛光速率,最好氮化硅介质层的抛光速率可以接近于零。也就是说,要求高的二氧化硅对氮化硅的选择比。有机分子能够有效地抑制氮化硅的抛光速率已有许多报道,比如,Electrochemical and Soli...
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