技术编号:16702796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体技术,更具体地,涉及一种能够降低部件间电容的FinFET及其制造方法以及包括这种FinFET的电子设备。背景技术随着集成电路(IC)中器件密度的不断增加,部件间的间隔越来越小。这使得IC中各部件之间例如栅电极和接触部之间的寄生电容增加,并因此使IC性能劣化。另一方面,即便对于性能要求不高的器件,也期望获得低功耗,并因此希望降低电容。抑制这种电容增加的一种方法是在部件之间使用气隙,但是其机械和电学稳定性存在问题。因此,需要能够在部件之间的间隔不断变小的趋势下降低它们之间的电容。发明...
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