技术编号:16702899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率金氧半场效晶体管及其制作方法,尤其涉及一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制作方法。背景技术功率金氧半场效晶体管(Power Metal Oxide Semiconductor Field Transistor,Power MOSFET)被广泛地应用于电力装置的切换元件,例如是电源供应器、整流器或低压马达控制器等等。现今的功率金氧半场效晶体管多采取垂直结构的设计,以提升元件密度。而具有沟槽栅极结构的功率式金氧半场效晶体管,不但具有更高的元件密度,也有更低的导通电阻,其优点是可以在...
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