技术编号:16734770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及刻蚀设备领域,尤其涉及一种提高产品刻蚀均一性的反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法。背景技术在半导体制备工艺中,刻蚀是用化学或物理的方法有选择性从硅表面或玻璃基面去除不需要的材料,在硅片或者玻璃基板上复制所需图形的最后图形转移的工艺步骤,可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干法刻蚀是利用气态中产生的等离子体,通过经光刻而开出的掩膜层窗口,与暴露于等离子体中的硅片或玻璃基片进行物理和化学反应,刻蚀掉硅片或玻璃基片上暴露的表面材料的一种工艺技术。干法刻蚀的各向异性可以实现细微图形的转换,满足越来越小的尺寸...
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