技术编号：16744719
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器(NVM)，并且更具体地涉及使用存储器单元的虚拟行来支持NVM内的存储器操作。背景技术现在参照图1，示出了常规非易失性存储器(NVM)100的框图。存储器100包括安排在存储器阵列104中的多个NVM单元102，该存储器阵列包括多个行106和多个列108。图2示出了示例NVM单元102的电路图。此电路仅是NVM单元的一个示例，并且将理解的是，可以使用其他NVM单元电路配置。NVM单元102由n沟道MOSFET选择晶体管116和n沟道MOSFET浮栅晶体管118的源极-漏极...
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