技术编号：16746895
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于直拉单晶的技术领域，尤其是涉及一种石英坩埚及其采用石英坩埚拉制硅单晶的方法。背景技术现有的拉晶用石英坩埚由两个部分构成，外侧是一层具有高气泡密度的区域为气泡复合层和内侧是3-5mm的透明层，从而改善单晶成晶率及品质。但是，由于硅在熔融状态下具有高度的化学活泼性，它会与石英坩埚发生反应，即SiO2+Si→2SiO，这期间，产生的氧化硅进入熔硅内，使得正在生长中的晶体结构发生改变，产生位错，从而影响单晶成晶，使得单晶质量差。发明内容鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种石英坩埚及其采用...
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