技术编号:16746899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于直拉单晶技术领域,尤其是涉及一种石英坩埚及其石英坩埚多次涂层的工艺方法。背景技术现有的拉晶用石英坩埚由两个部分构成,外侧是一层具有高气泡密度的区域为气泡复合层和内侧是3-5mm的透明层,从而改善单晶成晶率及品质。但是,由于硅在熔融状态下具有高度的化学活泼性,它会与石英坩埚发生反应,即SiO2+Si→2SiO,这期间,产生的氧化硅进入熔硅内,使得正在生长中的晶体结构发生改变,产生位错,从而影响单晶成晶,使得单晶质量差。发明内容鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种石英坩埚及其石英坩埚...
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