技术编号：16750988
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术在半导体集成电路制造技术中，现有的介电层零化学机械研磨工艺包括：先以高选择比的研磨液磨介电层零(如二氧化硅)，研磨停在氮化硅处，再用非选择比的研磨液磨掉部份氮化硅，但此方法会使得大线宽的介电层零氧化硅产生严重的碟形缺陷问题，而导致下制成的金属化学机械研磨后仍有金属残留在碟形缺陷发生处。为了确保无金属残留，可采用增加研磨时间的方法，则可能会研磨到底部的硅锗层而造成半导体器件的电性异常。具体的，请参阅图1，图1为现有技术...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。