技术编号：16755933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电子封装用多层累积SiCp增强镁基复合材料的真空压力浸渗制备工艺背景技术近年来，随着声像计算机通信业的飞速发展和数字化技术的进步，各类数字化电子产品不断出现，电子器件正向高度集成化和轻薄小型化方向发展，出现了各种便携式电子器材。对电子器材壳体提出了越来越高的要求，采用工程塑料来制造电子器材壳体已经难以满足这些要求。并且在环保意识高涨的环境下，镁合金与无法回收的加碳/金属粉的塑料，或是与含有毒阻燃剂的阻燃塑料相比，具有很大的优势。镁合金具有密度小、比强度和比刚度高，以及薄壁铸造性能良...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。