技术编号：16761973
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善银电化学迁移的Ag-Si纳米焊膏的制备方法，属于先进材料制备及电子元器件封装领域。背景技术近年来，纳米级的纳米银焊膏取代传统依靠机械压力提供烧结驱动力的方法，实现了无压、低温下的烧结并获得了可靠、无铅环保连接，广泛应用于宽带隙半导体高温功率芯片(例如SiC，GaN)。此外纳米Ag焊膏具有导电性好、导热性好、抗疲劳性能优、适用于高温大功率和高密度封装、可加工性好、绿色无铅和工艺温度低等优点，随电力电子行业的发展，逐渐取代传统锡铅焊料成为大功率电子器件高温应用的首选互连材料。然而银...
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