技术编号：16765138
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，特别涉及生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法。背景技术半导体发光二极管(LED)是高效、节能、环保的新一代光源产品。作为极具发展前景的新兴产业，近年来，LED产业迅速成为国际科技竞争的新焦点，也成为我国战略性新兴产业发展的重点。GaN及其相关III族氮化物由于其独特的物理化学性能，使其成为了制造高效蓝白光LED器件最为理想的材料。目前，GaN基LED主要采用异质衬底进行外延，存在晶格失配及热失配等问题，造成...
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