技术编号：16777046
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅片的处理方法及装置。背景技术光伏技术是一门利用大面积的p-n结二极管将太阳能转化为电能的技术。在制作太阳能电池过程中需要对P型或N型掺杂的基底硅片的其中一面进行与基底掺杂类型相反的电性的掺杂来形成p-n结，同时部分高效电池片还需要对另一面进行与基底掺杂同电性的掺杂来进行钝化和改善金属化接触。无论是使用扩散炉、离子注入机或者APCVD(常压化学气相淀积) 等设备进行掺杂，都不可避免的掺杂到硅片的侧面甚至是掺杂面的反面，而形成掺杂区域。如果对掺杂区域不进行...
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