技术编号:16777062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术,尤其涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术在半导体集成电路制造技术中,随着工艺的发展,半导体器件的尺寸不断减小。请参阅图1,图1为半导体器件的结构示意图。如图1所示,现在的CMOS晶体管的制造技术中,通常首先在半导体衬底100(通常为Si衬底)上形成栅氧化层200(通常为SiO2),栅氧化层200和半导体衬底100的界面处为界面层300(通常为硅单晶的边界Si-SiO2界面)。研究表明Si-SiO2界面并不是一个几何平面,在界面处存在约为10A的过渡层。过渡层的...
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