技术编号:16778027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种高压器件的制作方法及MOS管器件。背景技术随着集成电路的发展,高压器件应用于很多集成电路中,比如存储类电路中必需的器件来完成编写程序与擦除功能,并且为了满足高压器件的操作要求,要求高压栅极氧化层的厚度较厚,同时,电路中需要的逻辑器件来满足速度要求,其中,逻辑器件的栅极氧化层很薄。目前,高压器件的栅极氧化层的生长过程是,首先沉积一层氮化硅层,比如厚度设置为200埃,然后通过干法刻蚀或者湿法刻蚀方式刻蚀位于高压器件区域的氮化硅层,以生长出高压器件的栅极氧化层,...
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