技术编号：16778338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在设为真空气氛的处理容器内对基板进行气体处理的气体处理装置。背景技术作为对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行的气体处理，有时例如使用利用ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)进行的成膜。在该ALD中，将向晶圆的表面吸附的原料气体以及与该原料气体发生反应的反应气体交替地向设为真空气氛的处理容器内地供给多次，使反应生成物的原子层堆积在晶圆的表面来进行成膜。在供给原料气体的时间段与供给反应气体的时间段之间供给吹扫气体。关于进行该ALD的成膜装置...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。