技术编号:16778344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及原子层沉积技术领域,特别是涉及一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置及其工作方法。背景技术近年来由于纳米器件的制备需求,原子层沉积(ALD)逐渐受到产业界的重视,有越来越多的研究投入。ALD利用前驱物气体与基体表面所产生的自限制反应与基体表面发生单层化学吸附后,反应气体不再与表面发生反应,所以成长厚度可以控制,且均匀性极佳。故近年来ALD技术逐渐应用在环境与能源领域、微电子领域、催化领域等。随着社会实际需求和ALD工艺的发展,ALD技术已在大面积基底和连续沉积方面显示出巨大的应用前景。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。